ترانزیستور اثر میدانی T معکوس (Inverted-T FET - ITFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی T معکوس (Inverted-T FET - ITFET) :
ITFET (Inverted-T FET) یک ساختار ترانزیستور اثر میدانی با کانال عمودی است که شکل مقطع آن شبیه حرف T وارونه است. این ساختار برای بهبود کنترل گیت بر کانال و کاهش اثرات کانال کوتاه در ابعاد نانومتری پیشنهاد شده است.
در ITFET، کانال به صورت یک نوار عمودی باریک (Fin) با یک سرپوش افقی در پایین (شکل T وارونه) طراحی می شود. گیت دورتادور بخش عمودی را احاطه می کند و بخش افقی به عنوان درین یا سورس عمل می کند. این طراحی باعث افزایش سطح مؤثر گیت و بهبود شیب زیرآستانه (Subthreshold Swing) می شود.
\[ SS \approx 60\,\text{mV/dec} \quad , \quad I_{ON} \uparrow \]ITFETها هنوز در مراحل تحقیقاتی هستند و نمونه های عملی محدودی دارند. آنها به عنوان جایگزینی برای FinFET در گره های زیر ۵ نانومتر مطرح شده اند. مزایا: کنترل بهتر کانال، جریان روشن بالاتر به دلیل عرض مؤثر بیشتر.
چالش ها: پیچیدگی فرآیند ساخت (ایجاد ساختار T وارونه با ابعاد نانومتری)، و مدیریت مقاومت تماس. تحقیقات بر روی مواد جدید و روش های لیتوگرافی پیشرفته ادامه دارد.
