TFT با اکسید فلزی (Metal-Oxide TFT - مانند IGZO TFT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
TFT با اکسید فلزی (Metal-Oxide TFT - مانند IGZO TFT) :
IGZO TFT نوعی ترانزیستور لایه نازک است که در آن لایه نیمه هادی از اکسید فلزی شفاف ایندیوم-گالیم-روی (Indium Gallium Zinc Oxide) ساخته شده است. IGZO یک ماده آمورف با تحرک نسبتا بالا (حدود ۵–۲۰
\[ cm^2/V\cdot s \]) است که آن را بین a-Si و poly-Si قرار می دهد.
مزیت اصلی IGZO TFTها نسبت به a-Si، تحرک بالاتر و جریان خاموشی بسیار پایین (چند فمتوآمپر) است. جریان خاموشی پایین برای نگهداری شارژ در پیکسل های نمایشگر (به ویژه OLED) بسیار حیاتی است. همچنین IGZO می تواند با فرآیندهای دمای پایین (مشابه a-Si) ساخته شود، که هزینه را نسبت به poly-Si کاهش می دهد.
\[ \mu_n \approx 10\,\text{cm}^2/V\cdot s \quad , \quad I_{off} < 1\,\text{fA} \]IGZO TFTها همچنین شفاف هستند (مناسب برای نمایشگرهای شفاف) و می توانند روی زیرلایه های انعطاف پذیر ساخته شوند. آنها در نمایشگرهای OLED با وضوح بالا (تلویزیون های OLED الجی)، نمایشگرهای LCD کم مصرف، و حسگرهای تخت اشعه ایکس کاربرد دارند.
چالش ها: پایداری در برابر نور و رطوبت، و حساسیت به هیدروژن. با این حال، IGZO امروزه به یک فناوری بالغ تبدیل شده است.
