TFT با سیلیکون پلی کریستال (Polycrystalline Silicon TFT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
TFT با سیلیکون پلی کریستال (Polycrystalline Silicon TFT) :
Poly-Si TFT نوعی ترانزیستور لایه نازک است که در آن لایه نیمه هادی از سیلیکون پلی کریستال (چندبلوری) تشکیل شده است. برخلاف سیلیکون آمورف که اتم ها به صورت نامنظم قرار دارند، در پلی سیلیکون دانه های بلوری با اندازه های مختلف وجود دارد. این ساختار باعث افزایش چشمگیر تحرک الکترون (تا ۱۰۰
\[ cm^2/V\cdot s \]و بیشتر) نسبت به a-Si می شود.
ساخت poly-Si TFT نیاز به فرآیندهای با دمای بالاتر (بیش از ۶۰۰ درجه) یا روش های خاص مانند کریستالیزاسیون با لیزر (ELA) دارد. این فرآیندها هزینه را افزایش می دهند، اما عملکرد بهتری ارائه می کنند. دو نوع poly-Si TFT وجود دارد: HTPS (دمای بالا) و LTPS (دمای پایین). LTPS امروزه در نمایشگرهای OLED موبایل و تبلت بسیار رایج است.
\[ \mu_n \approx 50\text{–}100\,\text{cm}^2/V\cdot s \quad , \quad \mu_p \approx 30\text{–}80\,\text{cm}^2/V\cdot s \]مزایای poly-Si TFT: تحرک بالا (امکان ساخت مدارهای مجتمع روی شیشه مانند مبدل های DC-DC و شیفت رجیستر)، پایداری بهتر، و قابلیت ساخت ترانزیستورهای نوع P و N (برای CMOS). معایب: هزینه بالاتر نسبت به a-Si، غیریکنواختی ناشی از دانه بندی (که می تواند منجر به نوسانات ولتاژ آستانه شود).
کاربردها: نمایشگرهای OLED با وضوح بالا (مخصوصا در گوشی های هوشمند)، نمایشگرهای micro-LED، و حسگرهای تصویر.
