ترانزیستور اثر میدانی با نازک لایه (Thin-Film Transistor - TFT)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با نازک لایه (Thin-Film Transistor - TFT) :
TFT (Thin-Film Transistor) یک ترانزیستور اثر میدانی است که در آن لایه های نیمه هادی، عایق و فلزات به صورت لایه های نازک روی یک زیرلایه (معمولا شیشه یا پلاستیک) رسوب داده می شوند. برخلاف MOSFETهای مبتنی بر ویفر سیلیکون، TFTها نیازی به زیرلایه سیلیکونی ندارند و می توانند روی سطوح بزرگ و ارزان ساخته شوند.
ماده نیمه هادی در TFT می تواند سیلیکون آمورف (a-Si)، سیلیکون پلی کریستال (poly-Si)، اکسیدهای فلزی (مانند IGZO)، یا مواد آلی باشد. ساختار TFT معمولا به صورت گیت پایین (Bottom Gate) یا گیت بالا (Top Gate) است. عملکرد آن مشابه MOSFET است: با اعمال ولتاژ به گیت، کانالی در لایه نیمه هادی ایجاد یا مدوله می شود.
\[ I_D = \mu C_{ox} \frac{W}{L} \left( (V_{GS} - V_{TH})V_{DS} - \frac{V_{DS}^2}{2} \right) \]مهم ترین کاربرد TFT در صفحه نمایش های تخت (LCD و OLED) است. هر پیکسل توسط یک یا چند TFT کنترل می شود. TFTها همچنین در حسگرهای تصویر (فلت پنل ها)، برچسب های الکترونیکی، و مدارهای انعطاف پذیر استفاده می شوند.
مزایا: قابلیت ساخت بر روی زیرلایه های بزرگ، هزینه پایین، و امکان ساخت بر روی سطوح انعطاف پذیر. معایب: تحرک پایین تر نسبت به MOSFET سیلیکونی (به جز poly-Si و IGZO)، و پایداری کمتر در برخی مواد.
