ترانزیستور اثر میدانی سلولی (Cell-based FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی سلولی (Cell-based FET) :
Cell-based FET ترانزیستوری است که برای پایش فعالیت سلول های زنده طراحی شده است. در این ساختار، سلول ها به طور مستقیم روی سطح گیت (که با یک لایه زیست سازگار پوشانده شده) کشت داده می شوند. فعالیت الکتریکی سلول ها (مانند پتانسیل عمل در نورون ها یا سلول های قلبی) می تواند از طریق کوپلاژ خازنی یا رسانایی، جریان کانال ترانزیستور را تحت تأثیر قرار دهد.
با ثبت تغییرات جریان درین می توان سیگنال های زیستی را با وضوح بالا و به صورت غیرتهاجمی اندازه گیری کرد. این ترانزیستورها معمولا از نوع FET با گیت بزرگ (Open Gate) هستند که سلول ها مستقیما روی آن قرار می گیرند.
\[ \Delta I_D = g_m \cdot V_{cell} \quad \text{(ولتاژ سلول)} \]کاربردها: مطالعه شبکه های عصبی، غربالگری داروها (بررسی اثر دارو بر ضربان سلول های قلبی)، و توسعه رابط های مغز-کامپیوتر. مزایا: ثبت طولانی مدت، غیرتهاجمی بودن، و قدرت تفکیک بالا.
چالش ها: اتصال محکم سلول به سطح، نویز زیستی، و پیچیدگی آماده سازی نمونه. تحقیقات با استفاده از نانوسیم ها و ترانزیستورهای نانومقیاس برای افزایش حساسیت ادامه دارد.