ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی عکس برداری (Photo MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی عکس برداری (Photo MOSFET) :
Photo MOSFET یک MOSFET است که به نور حساس طراحی شده است. در این ترانزیستور، نور می تواند با تولید حامل های اضافی در ناحیه کانال، یا با تأثیر بر ناحیه تخلیه زیر گیت، جریان درین را تغییر دهد. همچنین می تواند به عنوان یک گیت نوری عمل کرده و عملا یک ترانزیستور نوری با گیت عایق ایجاد کند.
دو نوع اصلی Photo MOSFET وجود دارد: یکی با پنجره ای روی کانال که نور مستقیما به کانال می تابد و دیگری با گیت شناور (Floating Gate) که نور با تأثیر بر گیت شناور، ولتاژ آستانه را تغییر می دهد. نوع دوم در حافظه های نوری (Optical Memory) و سنسورهای تصویر (CMOS Image Sensor) کاربرد دارد.
\[ \Delta V_{TH} = \frac{Q_{photo}}{C_{ox}} \]در CMOS Image Sensor، هر پیکسل شامل یک Photo MOSFET (یا فوتودیود با ترانزیستور) است که نور را به سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. اما معمولا خود MOSFET نقش حسگر را ندارد، بلکه فوتودیود مجزا وظیفه حس کردن را بر عهده دارد و MOSFETها به عنوان سوئیچ و تقویت کننده عمل می کنند. با این حال، ترانزیستورهای نوری که مستقیما به نور پاسخ دهند، در برخی کاربردهای خاص مانند اپتوکوپلرهای مبتنی بر MOSFET یا سنسورهای نوری یکپارچه استفاده می شوند.
مزایا: امپدانس بالا، نویز پایین، امکان مجتمع سازی بالا. معایب: حساسیت کمتر نسبت به فوتودیودها و سرعت محدود.
