ترانزیستور اثر میدانی پیوندی عکس برداری (Photo JFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی پیوندی عکس برداری (Photo JFET) :
Photo JFET یک JFET است که به نور حساس شده است. در این ترانزیستور، نور به ناحیه کانال یا نواحی گیت می تابد و تولید جفت الکترون-حفره می کند. این حامل ها می توانند جریان درین را تحت تأثیر قرار دهند. در واقع، نور می تواند نقش یک گیت اضافی را ایفا کرده و رسانایی کانال را مدوله کند.
عملکرد Photo JFET شبیه به فوتوترانزیستور دوقطبی است، اما با امپدانس بالاتر و نویز کمتر. در JFET نوری، با تابش نور، حامل های اضافی در کانال ایجاد می شوند که منجر به افزایش جریان درین می شود. همچنین نور می تواند با کاهش مؤثر پهنای ناحیه تخلیه، اثر مشابه افزایش ولتاژ گیت داشته باشد.
\[ \Delta I_D = q \mu_n E \cdot \Delta n \cdot A \]کاربردهای Photo JFET: حسگرهای نوری با امپدانس بالا، آشکارسازهای با نویز پایین برای کاربردهای نجومی یا طیف سنجی، و اپتوکوپلرها (البته کمتر رایج). Photo JFETها معمولا در مقایسه با فوتودیودها، بهره بالاتری دارند (چون جریان نوری تقویت می شود) اما سرعت پاسخگویی آنها کمتر است.
یکی از چالش های Photo JFET، حساسیت به نورهای مزاحم و نیاز به محفظه های کاملا تاریک در صورت عدم استفاده است. امروزه بیشتر از فوتوترانزیستورهای BJT یا فوتودیودهای با تقویت کننده استفاده می شود.
