ترانزیستور اثر میدانی شاتکی (Schottky FET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی شاتکی (Schottky FET) :
Schottky FET (یا MESFET) نوعی ترانزیستور اثر میدانی است که در آن گیت با یک اتصال شاتکی (فلز-نیمه هادی) به کانال متصل می شود. در این ترانزیستور خبری از لایه اکسید عایق نیست و گیت مستقیما روی نیمه هادی (معمولا GaAs, GaN, SiC) قرار می گیرد. به دلیل ماهیت اتصال شاتکی، گیت در بایاس معکوس کار می کند و امپدانس ورودی بالایی دارد.
Schottky FETها معمولا از نوع کانال N و حالت کاهشی (Depletion-mode) هستند، یعنی با
\[ V_{GS}=0 \]کانال باز است و جریان از سورس به درین عبور می کند. با منفی کردن ولتاژ گیت (برای N-Channel)، ناحیه تخلیه زیر گیت گسترش یافته و کانال باریک می شود. این عملکرد شبیه JFET است، اما اتصال شاتکی به جای پیوند PN به کار رفته است.
\[ I_D = I_{DSS} \left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2 \]مزیت Schottky FET نسبت به JFET، سرعت بالاتر به دلیل عدم ذخیره بار در پیوند (چون اتصال فلز-نیمه هادی اکثرتا توسط الکترون ها انجام می شود و حفره ای در کار نیست) و فرکانس کاری بالاتر است. به همین دلیل در فرکانس های مایکروویو و میلی متری از MESFETهای GaAs استفاده می شود.
کاربردها: تقویت کننده های توان و کم نویز در مخابرات ماهواره ای، رادار، و سیستم های نقطه به نقطه. همچنین در مدارهای مجتمع مونولیتیک مایکروویو (MMIC) کاربرد گسترده دارد. نمونه های تجاری: سری NE3210S01 (MESFET GaAs) و قطعات مبتنی بر SiC برای توان بالا.
