ترانزیستور اثر میدانی با گیت عایق (Insulated-Gate FET - IGFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور اثر میدانی با گیت عایق (Insulated-Gate FET - IGFET) :
IGFET (Insulated-Gate Field-Effect Transistor) یک خانواده کلی از ترانزیستورهای اثر میدانی است که در آنها گیت توسط یک لایه عایق از کانال جدا شده است. معروف ترین عضو این خانواده، MOSFET است. اما IGFET می تواند شامل ترانزیستورهایی با مواد عایق غیر از اکسید سیلیکون (مثل نیترید سیلیکون، اکسیدهای دیگر) نیز باشد.
اصطلاح IGFET گاهی برای تأکید بر عایق بودن گیت به کار می رود تا آن را از JFET (که گیت با پیوند PN جدا می شود) متمایز کند. اما در عمل، IGFET و MOSFET معمولا مترادف در نظر گرفته می شوند. با این حال، در برخی متون، IGFET به طور خاص به ترانزیستورهای با گیت عایق غیر اکسیدی اشاره دارد.
\[ C_{ox} = \frac{\epsilon_{ins}}{t_{ins}} \quad \text{(خازن عایق گیت)} \]مزیت اصلی IGFETها امپدانس ورودی بسیار بالا (بیش از
\[ 10^{14} \Omega \]) و جریان نشتی گیت ناچیز است. این ویژگی آن ها را برای مدارهای با توان مصرفی پایین و نمونه برداری (Sample and Hold) ایده آل می کند. IGFETها همچنین در حسگرهای شیمیایی و زیستی (مانند ISFET که گیت با محلول تماس دارد اما عایق است) استفاده می شوند.
به طور کلی، هر ترانزیستوری که در آن یک لایه عایق (اکسید، نیترید، الماس، و غیره) بین گیت و کانال قرار داشته باشد، یک IGFET محسوب می شود. با این تعریف، TFT (ترانزیستور لایه نازک) با گیت عایق نیز IGFET است.
