LDMOS (انگلیسی : Laterally Diffused MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
LDMOS (انگلیسی : Laterally Diffused MOSFET) :
LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) یک ساختار MOSFET با کانال افقی است که در آن ناحیه درین به صورت جانبی گسترش یافته است. این قطعه معمولا در آیسی های مجتمع قدرت (Power IC) و تقویت کننده های RF فرکانس بالا (تا چند گیگاهرتز) کاربرد دارد.
در LDMOS، ناحیه P-body با نفوذ جانبی (Lateral Diffusion) ایجاد می شود و ناحیه درین با ناخالصی کم (Drift Region) به صورت افقی تا زیر گیت امتداد می یابد. این ناحیه رانفت طولانی، ولتاژ شکست بالایی را ممکن می سازد. گیت معمولا از پلی سیلیکون است و روی کانال و بخشی از ناحیه رانفت قرار می گیرد (Field Plate).
\[ BV_{DSS} \propto L_{drift} \quad , \quad R_{DS(on)} \propto L_{drift} \]LDMOS به دلیل ساختار افقی، به راحتی با فناوری CMOS استاندارد سازگار است و می توان آن را در کنار مدارهای کنترلی روی یک تراشه ساخت. این ویژگی باعث شده در آیسی های مدیریت توان (مثل درایورهای LED، مبدل های DC-DC) و همچنین تقویت کننده های توان RF (مثلا در ایستگاه های پایه مخابراتی) بسیار محبوب شود.
در فرکانس های بالا، LDMOS به دلیل بهره و پایداری خوب و هزینه مناسب، تا چند سال پیش غالب بود. هرچند امروزه با GaN HEMT رقابت می کند. نمونه های معروف: ترانزیستورهای RF سری MRF از NXP. در LDMOS، بدنه معمولا به سورس متصل می شود (برای کاهش اثر بدنه) و برای افزایش توان، از چندین سلول به صورت موازی استفاده می شود.
