VDMOS (انگلیسی : Vertical Double-Diffused MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
VDMOS (انگلیسی : Vertical Double-Diffused MOSFET) :
VDMOS (Vertical Double-Diffused MOSFET) رایج ترین ساختار برای MOSFETهای قدرت است. در این ساختار، کانال با دو مرحله نفوذ (Double Diffusion) ایجاد می شود: ابتدا ناحیه P-body و سپس ناحیه N+ سورس به داخل P-body نفوذ داده می شود. طول کانال توسط تفاوت نفوذ جانبی این دو ناحیه تعیین می شود که بسیار دقیق و کوچک است.
ساختار VDMOS به صورت عمودی است: سورس در بالا، درین در پایین، و جریان از سورس به طور عمودی از کانال (در کنار گیت) عبور کرده و سپس از ناحیه رانفت (Drift Region) N- به سمت درین جریان می یابد. گیت روی سطح و بین سورس و درین (ناحیه P-body) قرار دارد.
\[ BV_{DSS} \approx \frac{\epsilon_s E_{crit}^2}{2q N_{drift}} \]VDMOS به دلیل ساختار عمودی، تراکم جریان بالایی دارد و برای ولتاژهای متوسط و بالا (تا ۱۰۰۰ ولت) مناسب است. مزیت دیگر آن، وجود ناحیه JFET بین سلول هاست که بر مقاومت تأثیر می گذارد. با بهینه سازی ابعاد سلول و غلظت ناخالصی، می توان
\[ R_{DS(on)} \]را کاهش داد.
اکثر Power MOSFETهای مجزا مانند سری IRFxxx از ساختار VDMOS استفاده می کنند. محدودیت VDMOS در ولتاژهای پایین (زیر ۳۰ ولت) است، جایی که مقاومت کانال غالب شده و ساختار Trench Gate عملکرد بهتری دارد. با این حال، VDMOS هنوز در کاربردهای ولتاژ بالا به دلیل بلوغ فناوری و هزینه کمتر، گزینه اصلی است.
