MOSFET با گیت مسطح (Planar Gate MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
MOSFET با گیت مسطح (Planar Gate MOSFET) :
Planar Gate MOSFET ساختار سنتی و اولیه MOSFET است که در آن گیت روی سطح مسطح ویفر قرار دارد و کانال به صورت افقی بین سورس و درین جریان می یابد. این ساختار در هر دو نوع MOSFET سیگنال کوچک و قدرت (ولتاژهای بالا) استفاده می شود.
در Planar MOSFET قدرت، ناحیه درین در زیرین قرار دارد و جریان از سورس (روی سطح) به صورت افقی از زیر گیت عبور کرده و سپس به صورت عمودی به سمت درین جریان می یابد (ساختار VDMOS). اما گیت همچنان مسطح است. این ساختار برای ولتاژهای بالا (بیش از ۲۰۰ ولت) مناسب تر است زیرا ناحیه رانفت (Drift Region) بلندی می تواند ایجاد شود.
\[ R_{DS(on)} = R_{channel} + R_{JFET} + R_{drift} + R_{substrate} \]در Planar Gate، کانال در مجاورت سطح قرار دارد و چگالی سلول نسبت به Trench کمتر است. اما مزیت آن سادگی فرآیند ساخت و هزینه کمتر است. همچنین برای ولتاژهای بالا، مقاومت ناحیه رانفت (
\[ R_{drift} \]) غالب است و تفاوت Planar و Trench کمتر می شود.
Planar MOSFETهای قدرت در کاربردهایی مانند منابع تغذیه، بالاست های الکترونیکی، و اینورترهای صنعتی استفاده می شوند. نمونه های معروف: سری IRFP (مانند IRFP460) و STW. در فناوری های جدید، برای کاهش مقاومت، از ترکیب Planar با سوپرجانکشن (Superjunction) استفاده می شود.
