MOSFET با گیت دوقلو (Dual-Gate MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
MOSFET با گیت دوقلو (Dual-Gate MOSFET) :
Dual-Gate MOSFET یک ترانزیستور اثر میدانی با دو گیت مجزا است که معمولا به صورت سری (یکی بالای دیگری) روی کانال قرار دارند. این ساختار بیشتر در کاربردهای فرکانس بالا (RF) و میکسرها استفاده می شود. گیت اول (Gate1) نزدیک به سورس و گیت دوم (Gate2) نزدیک به درین است.
مزیت اصلی این پیکربندی، کاهش ظرفیت خازنی بازخورد (Miller) بین درین و گیت اول است، زیرا گیت دوم به عنوان یک محافظ عمل می کند. همچنین می توان از دو گیت برای اعمال سیگنال های مختلف (مثلا سیگنال RF به گیت اول و سیگنال LO به گیت دوم در میکسرها) استفاده کرد. بهره و پایداری در فرکانس های بالا بهبود می یابد.
\[ C_{rss} = C_{gd1} \approx \frac{C_{gd2}}{A_{v2}} \quad \text{(با فرض بهره گیت دوم)} \]کاربردهای رایج: تقویت کننده های RF با بهره متغیر (با تغییر ولتاژ گیت دوم می توان بهره را کنترل کرد)، میکسرهای متعادل، نوسان سازهای کنترل شونده با ولتاژ (VCO)، و مدارهای AGC. نمونه های معروف: 3N200، BF960، و سری MOSFETهای دوگانه در گیرنده های رادیویی.
نکته: در Dual-Gate MOSFET، هر دو گیت از زیرلایه توسط اکسید جدا شده اند و امپدانس بالایی دارند. برای عملکرد صحیح، گیت دوم معمولا به یک ولتاژ ثابت (مثلا نصف
\[ V_{DD} \]) وصل می شود تا نقطه کار مناسبی تعیین کند. امروزه با پیشرفت فناوری CMOS، بسیاری از کاربردهای Dual-Gate توسط ترانزیستورهای مجتمع با پیکربندی کاسکود (Cascode) جایگزین شده اند.
