MOSFET با گیت سیلیسیمی (Polysilicon Gate MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
MOSFET با گیت سیلیسیمی (Polysilicon Gate MOSFET) :
Polysilicon Gate MOSFET (گیت پلی سیلیکون) استاندارد صنعت برای چند دهه بوده است. در این فناوری، گیت از جنس سیلیکون پلی کریستالین (با ناخالصی بالا برای رسانایی) ساخته می شود. این گیت بر روی یک لایه نازک اکسید گیت قرار دارد.
مهم ترین مزیت گیت پلی سیلیکون، امکان خود-ترازی (Self-alignment) با نواحی سورس و درین است. بدین معنا که پس از تعریف گیت، از آن به عنوان ماسکی برای کاشت یون سورس/درین استفاده می شود. این کار باعث کاهش قابل توجه خازن های هم پوشانی (Overlap Capacitance) و افزایش سرعت می شود. همچنین پلی سیلیکون می تواند در دماهای بالای فرآیندهای بعدی (اکسیداسیون، آنیل) مقاومت کند.
\[ \text{خود-ترازی:} \quad L_{eff} \approx L_{gate} - 2\Delta L \]پلی سیلیکون با ناخالصی بالا (معمولا نوع N برای NMOS و نوع P برای PMOS) رسانایی خوبی دارد، اما همچنان از فلز مقاومت بیشتری دارد. برای کاهش RC، گاهی از ترکیب پلیساید (پلی سیلیکون + سیلایساید) استفاده می شود. گیت پلی سیلیکون امکان تنظیم ولتاژ آستانه را از طریق میزان ناخالصی و نیز تفاوت کار تابع با زیرلایه فراهم می کند.
امروزه حتی در فناوری های پیشرفته که دوباره به گیت فلزی روی آورده اند، باز هم لایه هایی از پلی سیلیکون به عنوان بخشی از گیت (مثلا برای تماس) استفاده می شود. در MOSFETهای قدرت مجزا نیز همچنان گیت پلی سیلیکون غالب است.
