MOSFET کانال P (انگلیسی : P-Channel MOSFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
MOSFET کانال P (انگلیسی : P-Channel MOSFET) :
MOSFET کانال P (PMOS) از نظر ساختار مکمل NMOS است. کانال بین سورس و درین از نوع P (حفره ها) است. برای یک PMOS enhancement-mode، با اعمال ولتاژ منفی به گیت نسبت به سورس (
\[ V_{GS} < V_{TH} \]که
\[ V_{TH} \]منفی است) کانال P ایجاد می شود. در واقع وقتی
\[ V_{GS} \]به اندازه کافی منفی تر از آستانه باشد، حفره ها در زیر اکسید جمع شده و کانال شکل می گیرد.
در بایاس نرمال، سورس معمولا به ولتاژ مثبت (در مدارهای مثبت) وصل می شود و درین به بار که به زمین یا ولتاژ منفی تر وصل است. برای روشن کردن،
\[ V_{GS} \]باید منفی باشد (مثلا
\[ V_G \]پایین تر از
\[ V_S \]). PMOS نسبت به NMOS مقاومت بیشتری دارد (به دلیل تحرک کمتر حفره ها) و معمولا بزرگ تر طراحی می شود تا مقاومت مشابهی با NMOS داشته باشد.
\[ I_D = \frac{1}{2} \mu_p C_{ox} \frac{W}{L} (V_{SG} - |V_{TH}|)^2 \quad \text{(اندیس ها برای PMOS)} \]کاربردها: در تکنولوژی CMOS به عنوان ترانزیستور pull-up (سوی بالا) استفاده می شود. در مدارهای قدرت، PMOS برای کلیدزنی سمت بالا (High-side switching) بدون نیاز به مدار راه انداز اضافی مفید است. نمونه معروف: IRF9540. PMOS همچنین در آپ امپ ها برای طبقات ورودی با نویز پایین (در کنار NMOS) به کار می رود.
