JFET کانال N (انگلیسی : N-Channel JFET)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
JFET کانال N (انگلیسی : N-Channel JFET) :
JFET کانال N رایج ترین نوع JFET است. در این قطعه کانال اصلی از جنس نیمه هادی نوع N (با اکثریت الکترون) ساخته می شود و گیت ها از نوع P+ هستند. الکترون ها نسبت به حفره ها تحرک بالاتری دارند، بنابراین JFET کانال N سریع تر و رساناتر از نوع P است.
در بایاس نرمال، درین نسبت به سورس مثبت است (
\[ V_{DS}>0 \]) و گیت نسبت به سورس منفی (یا صفر) بایاس می شود (
\[ V_{GS} \le 0 \]). با منفی تر کردن
\[ V_{GS} \]، ناحیه تخلیه اطراف گیت ها بازتر شده و کانال باریک تر می شود تا جایی که در
\[ V_{GS}=V_P \](منفی) کانال کاملا بسته می شود.
\[ I_D = I_{DSS} \left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2 \quad , \quad V_P < 0 \]کاربردها: تقویت کننده های امپدانس بالا (مرحله ورودی اسیلوسکوپ ها)، میکروفون های الکترت، مدارهای کنترل خودکار بهره (AGC)، و سوییچ های آنالوگ. نمونه های معروف: JFET 2N3819، J201، و MPF102. در این قطعات معمولا پایه Gate به صورت دیود شاتکی نیست بلکه پیوند PN است.
نکته مهم: در JFET کانال N، اگر ولتاژ گیت از سورس مثبت شود، دیود گیت-کانال در بایاس مستقیم قرار گرفته و جریان گیت بالا می رود و عملکرد مختل می شود. بنابراین همیشه باید
\[ V_{GS} \le 0 \]رعایت شود (یا برای برخی کاربردهای خاص، محدوده کوچک مثبت با احتیاط).
