ترانزیستور پیوندی دوقطبی با ولتاژ بالا (High-Voltage Bipolar Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور پیوندی دوقطبی با ولتاژ بالا (High-Voltage Bipolar Transistor) :
ترانزیستور ولتاژ بالا (High-Voltage BJT) قادر است ولتاژهای کلکتور-امیتر (
\[ V_{CEO} \]) بیش از چند صد ولت (تا چند کیلوولت) را تحمل کند. این قطعات معمولا در منابع تغذیه سوئیچینگ، بالاست های لامپ، تلویزیون های CRT و کنترل کننده های موتور به کار می روند.
برای دستیابی به ولتاژ شکست بالا، ناحیه کلکتور با ناخالصی بسیار کم و ضخامت زیاد ساخته می شود (لایه "کلکتور با رسانش ذاتی یا n-"). این ناحیه عریض باعث افزایش مقاومت سری (
\[ R_C \]) و کاهش سرعت می شود. بنابراین این ترانزیستورها معمولا سرعت پایینی دارند و در فرکانس های زیر ۱۰۰ کیلوهرتز استفاده می شوند.
\[ BV_{CBO} \approx \frac{\epsilon_s E_{crit}^2}{2q N_C} \quad , \quad BV_{CEO} \approx \frac{BV_{CBO}}{\sqrt[3]{\beta+1}} \]در ترانزیستورهای ولتاژ بالا، پدیده "ضربه ثانویه" (Second Breakdown) محدودکننده مهمی است. برای مقابله، از ساختارهای حاشیه ای و امیترهای طویل با مقاومت های بالانس کننده جریان استفاده می شود. همچنین گاهی این ترانزیستورها در ناحیه فعال خطی (نه اشباع) برای کاربردهای تقویت ولتاژ بالا به کار می روند.
معروف ترین نمونه: سری BU508 (۱۵۰۰ ولت، ۸ آمپر) در تلویزیون های قدیمی. امروزه تا حدودی با IGBT جایگزین شده اند اما همچنان در برخی کاربردهای خاص مانند درایورهای مغناطیسی و فلاش دوربین استفاده می شوند.
