ترانزیستور پیوندی دوقطبی با بیس عایق (Insulated-Base Bipolar Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور پیوندی دوقطبی با بیس عایق (Insulated-Base Bipolar Transistor) :
ترانزیستور با بیس عایق (Insulated-Base Bipolar Transistor) یک مفهوم کمتر رایج است که در آن ترمینال بیس توسط یک لایه عایق از بقیه ساختار جدا شده و کنترل از طریق میدان انجام می شود. این قطعه در واقع ترکیبی از MOSFET و BJT است اما با این تفاوت که ناحیه بیس مستقیما توسط ولتاژ گیت (از طریق خازن) کنترل می شود و نه جریان. شباهت زیادی به IGBT دارد اما تمرکز روی عایق بودن بیس است تا کنترل ظرفیتی.
در برخی متون، IGBT را نوعی ترانزیستور با بیس عایق می نامند (زیرا گیت عایق است و بیس (Base) در IGBT همان لایه P است که در واقع بیس ترانزیستور خروجی محسوب می شود). اما اینجا ممکن است به ساختاری اشاره داشته باشد که در آن یک خازن بین گیت و بیس BJT قرار دارد. با اعمال ولتاژ به گیت، بار در بیس القا شده و ترانزیستور هدایت می کند. این ایده در ترانزیستورهای ظرفیتی (Capacitive-Base Transistor) دنبال شده است.
\[ I_C \approx \mu_n C_{ox} \frac{W}{L} (V_{GB} - V_T)^2 \quad \text{? (مدل ساده شده)} \]هدف اصلی افزایش امپدانس ورودی (حذف جریان بیس) و سرعت بالا با حفظ قابلیت های دوقطبی (جریان بالا و اشباع کم) است. چنین قطعاتی هنوز تجاری نشده اند اما در مقالات تحقیقاتی با نام های مختلف مانند "Bipolar-mode FET" یا "Base-Insulated Transistor" یافت می شوند. گاهی آن را با نام "Bipolar Static Induction Transistor (BSIT)" نیز می شناسند که در آن بیس توسط یک گیت عایق کنترل می شود.
