ترانزیستور پیوندی دوقطبی با بیس دوگانه (Dual-Base Bipolar Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور پیوندی دوقطبی با بیس دوگانه (Dual-Base Bipolar Transistor) :
ترانزیستور با بیس دوگانه دارای دو ناحیه بیس مجزا (یا دو ترمینال بیس) است که هر دو با ناحیه امیتر و کلکتور مشترک در تعامل هستند. این ساختار در ترانزیستورهای قدرت و فرکانس بالا برای کاهش مقاومت توزیع شده بیس و بهبود پایداری حرارتی به کار می رود.
در ترانزیستورهای معمولی، جریان بیس به صورت جانبی از طریق یک نقطه به ناحیه بیس تزریق می شود. این امر باعث ایجاد افت ولتاژ در طول بیس و در نتیجه توزیع غیریکنواخت جریان می شود (پدیده ای به نام "Emitter Crowding"). با داشتن دو ترمینال بیس در دو طرف امیتر، می توان جریان را متقارن تر تزریق کرد و از تمرکز جریان در لبه های امیتر جلوگیری نمود.
\[ R_{BB'} = \frac{1}{2} R_{\text{total}} \quad \text{(با دو بیس موازی)} \]همچنین در ترانزیستورهای قدرت، دو بیس به کاهش مقاومت پایه (R_bb') کمک کرده و پایداری حرارتی را افزایش می دهد. در برخی از ترانزیستورهای RF، دو بیس به صورت قرینه (مانند ترانزیستورهای بین قطبی) استفاده می شود تا ایزولاسیون و بهره افزایش یابد. از نظر ساختاری، بیس دوگانه ممکن است به صورت دو نوار باریک در اطراف امیتر باشد که هر دو به یک ترمینال خارجی متصل می شوند یا دو ترمینال مجزا برای کاربردهای خاص دارند.
کاربرد دیگر در ترانزیستورهای حسگر (مثلا MAGFET) است که از دو بیس برای آشکارسازی میدان مغناطیسی استفاده می شود. اما به طور کلی، ترانزیستور بیس دوگانه در دیتاشیت های معمولی کمتر دیده می شود و بیشتر در قطعات خاص قدرت یا RF یافت می گردد.
