ترانزیستور پیوندی دوقطبی با امیتر شیب دار (Graded-Emitter Bipolar Transistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع ترانزیستورها (Transistor) را در آموزش زیر شرح دادیم :
ترانزیستور پیوندی دوقطبی با امیتر شیب دار (Graded-Emitter Bipolar Transistor) :
امیتر شیب دار (Graded Emitter) به ترانزیستوری گفته می شود که در آن ناخالصی امیتر به طور یکنواخت نباشد، بلکه به صورت تدریجی (شیب دار) از یک طرف به طرف دیگر تغییر کند. هدف اصلی این طراحی افزایش سرعت ترانزیستور و کاهش زمان عبور حامل ها از بیس است.
در ترانزیستور معمولی، امیتر دارای ناخالصی ثابت و زیاد است. در ساختار امیتر شیب دار، نزدیک محل اتصال امیتر-بیس، ناخالصی کمتر و در قسمت انتهایی امیتر (محل اتصال فلز) ناخالصی بیشتر است. این تغییر تدریجی یک میدان الکتریکی داخلی ایجاد می کند که باعث شتاب گرفتن الکترون ها به سمت بیس می شود.
\[ E_{\text{field}} \propto \frac{kT}{q} \cdot \frac{1}{N(x)}\frac{dN}{dx} \]نتیجه: کاهش زمان تأخیر، افزایش فرکانس قطع (
\[ f_T \]). این نوع ترانزیستورها در مدارهای با سرعت بالا و سوئیچینگ سریع به کار می روند. همچنین در برخی BJTهای قدرت برای بهبود رفتار در فرکانس های بالا استفاده می شود.
تکنولوژی ساخت چنین ترانزیستوری نیاز به کنترل دقیق پروفایل ناخالصی در حین فرایند انتشار (Diffusion) یا کاشت یون (Ion Implantation) دارد. معمولا در ترانزیستورهای سیلیکونی امروزی برای بهبود عملکرد فرکانس بالا از امیتر شیب دار استفاده می شود، هر چند در دیتاشیت ها به صراحت ذکر نمی شود.
