دیود یکسوکننده با بازیابی بسیار سریع (Very Fast Recovery Diode)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع دیودها (Diode) را در آموزش زیر شرح دادیم :
دیود یکسوکننده با بازیابی بسیار سریع (Very Fast Recovery Diode) :
دیود یکسوکننده با بازیابی بسیار سریع (Very Fast Recovery Diode) در واقع همان دیود یکسوکننده فوق سریع (Ultra-Fast Recovery Diode) است که در مورد شماره ۶۲ توضیح داده شد. اصطلاحات "بسیار سریع" (Very Fast) و "فوق سریع" (Ultra-Fast) اغلب به صورت مترادف توسط تولیدکنندگان مختلف استفاده می شوند و مرز مشخصی بین آنها وجود ندارد. گاهی "Very Fast" به دیودهایی با زمان بازیابی ۳۰-۸۰ نانوثانیه و "Ultra-Fast" به دیودهایی با زمان کمتر از ۳۰ نانوثانیه اطلاق می شود، اما این تقسیم بندی استاندارد نیست.
بنابراین، توضیحات ارائه شده برای مورد شماره ۶۲ (دیود یکسوکننده فوق سریع) به طور کلی برای دیود یکسوکننده با بازیابی بسیار سریع نیز صادق است. این دیودها با هدف دستیابی به زمان بازیابی معکوس بسیار کوتاه (معمولا کمتر از ۱۰۰ نانوثانیه و اغلب در محدوده ۳۰-۸۰ نانوثانیه) برای کاربردهای فرکانس بالا طراحی شده اند.
ساختار این دیودها معمولا از نوع اپیتاکسیال (Epitaxial) با بهینه سازی دقیق برای کاهش زمان بازیابی است. تکنیک های ساخت مشابه دیودهای فوق سریع شامل تزریق ناخالصی های بازترکیب (مانند طلا یا پلاتین) و کنترل دقیق پروفایل ناخالصی در ناحیه پیوند است.
پارامترهای مهم این دیودها مشابه FRD است، با تأکید بر t_rr بسیار کوتاه. افت ولتاژ مستقیم (V_F) معمولا بالاتر از دیودهای معمولی است، زیرا سرعت بالا با افزایش مقاومت همراه است. جریان نشتی معکوس (I_R) نیز ممکن است کمی بالاتر باشد.
کاربردهای اصلی این دیودها در منابع تغذیه سوئیچینگ با فرکانس بالا، مبدل های DC-DC پرسرعت، مدارات PFC، و اینورترهای فرکانس بالا است. انتخاب این دیودها زمانی ضروری است که فرکانس سوئیچینگ بالاتر از ۱۰۰ کیلوهرتز باشد و تلفات سوئیچینگ باید به حداقل برسد.
در نهایت، دیود یکسوکننده با بازیابی بسیار سریع یک عضو مهم از خانواده دیودهای سریع است که برای پاسخگویی به نیاز روزافزون به فرکانس های بالاتر در الکترونیک قدرت توسعه یافته است. با پیشرفت تکنولوژی، مرزهای سرعت همچنان در حال گسترش است.
