لیزر دیودی مبتنی بر AlGaAs (انگلیسی : Aluminum Gallium Arsenide Diode Laser)، در فیزیک (Physics)
انواع لیزرها (Laser) را در آموزش زیر شرح دادیم :
لیزر دیودی مبتنی بر AlGaAs (انگلیسی : Aluminum Gallium Arsenide Diode Laser) :
Aluminum Gallium Arsenide (AlGaAs) Diode Laser یکی از قدیمی ترین و پرکاربردترین لیزرهای نیمه هادی است. این لیزرها روی زیرلایه GaAs رشد می کنند و محدوده طول موج ۶۸۰ تا ۸۸۰ نانومتر را پوشش می دهند. با افزایش درصد آلومینیوم در AlGaAs، شکاف انرژی افزایش و طول موج کاهش می یابد. AlGaAs به دلیل تطابق شبکه عالی با GaAs (در تمامی درصدهای آلومینیوم) و بلوغ فناوری رشد، ماده ای ایده آل است.
مکانیزم: در لیزرهای AlGaAs، ناحیه فعال می تواند از GaAs (برای طول موج حدود ۸۸۰ نانومتر) یا از AlGaAs با درصد آلومینیوم پایین (برای طول موج های کوتاه تر) تشکیل شود. لایه های محصورکننده از AlGaAs با درصد آلومینیوم بالاتر ساخته می شوند تا هم محصورسازی حامل ها و هم محصورسازی نور را فراهم کنند. ساختارهای رایج شامل ناهمگون دوگانه (DHS) و چاه کوانتومی (QW) هستند. فناوری رشد MOCVD و MBE برای AlGaAs کاملا بالغ است.
کاربردهای لیزر AlGaAs بسیار گسترده است: پخش کننده های سی دی (CD) با طول موج ۷۸۰ نانومتر، چاپگرهای لیزری (۷۸۰ نانومتر)، نشانگرهای لیزری مادون قرمز (نامرئی)، پمپاژ لیزرهای حالت جامد (مانند پمپاژ Nd:YAG با ۸۰۸ نانومتر)، حسگرها، و ارتباطات فضای آزاد. همچنین در برخی کاربردهای پزشکی (لیزر موهای زائد) با طول موج ۸۰۰-۸۱۰ نانومتر استفاده می شود.
مزایای لیزرهای AlGaAs: بازده بالا (تا ۵۰-۶۰٪)، قابلیت اطمینان عالی، هزینه پایین به دلیل تولید انبوه، و تنوع طول موج. معایب: حساسیت به اکسیداسیون آلومینیوم (نیاز به محافظکاری دقیق در فرایند ساخت) و محدوده طول موج (تا حدود ۶۸۰ نانومتر، کوتاه تر از آن با مواد دیگر مانند AlGaInP پوشش داده می شود). لیزرهای AlGaAs یکی از ارکان اصلی صنعت اپتوالکترونیک در قرن بیستم و بیست و یکم بوده اند.
