لیزر دیودی مبتنی بر InP (انگلیسی : Indium Phosphide Diode Laser)، در فیزیک (Physics)
انواع لیزرها (Laser) را در آموزش زیر شرح دادیم :
لیزر دیودی مبتنی بر InP (انگلیسی : Indium Phosphide Diode Laser) :
Indium Phosphide (InP) Diode Laser به لیزرهای نیمه هادی اطلاق می شود که بر پایه زیرلایه فسفید ایندیم (InP) و آلیاژهای آن (مانند InGaAsP، InGaAlAs) ساخته می شوند. این خانواده از لیزرها برای محدوده طول موج ۱۱۰۰ تا ۲۰۰۰ نانومتر (مادون قرمز نزدیک و میانی) حیاتی هستند. مهم ترین کاربرد آنها در مخابرات نوری در طول موج های ۱۳۱۰ نانومتر و ۱۵۵۰ نانومتر است. InP به دلیل تطابق شبکه خوب با آلیاژهای چهارتایی (InGaAsP)، امکان طراحی دقیق طول موج را فراهم می کند.
مکانیزم: در لیزرهای InP، از چاه های کوانتومی InGaAsP یا InGaAlAs با لایه های سد (barrier) از همان آلیاژ با شکاف انرژی بالاتر استفاده می شود. با تغییر ترکیب آلیاژ (درصد گالیم، آرسنیک، فسفر)، می توان طول موج گسیل را در محدوده وسیعی تنظیم کرد. ساختار معمولا از نوع ناهمگون (SCH یا MQW) است. یکی از چالش های اصلی در این طول موج ها، افزایش بازترکیب اوژه (Auger) است که باعث کاهش بازده و افزایش وابستگی دمایی می شود.
کاربرد اصلی لیزرهای InP در مخابرات نوری است: به عنوان منبع نور در فرستنده های فیبر نوری (DFB و DBR) برای شبکه های دوربرد و شهری. همچنین در تقویت کننده های نیمه هادی (SOA) و در سیستم های WDM (مالتی پلکس تقسیم طول موج) استفاده می شوند. کاربردهای دیگر شامل سنجش از دور (LIDAR در محدوده امن برای چشم)، پزشکی، و تحقیقات علمی است.
مزایای لیزرهای InP: قابلیت دستیابی به طول موج های حیاتی مخابرات، پهنای خط باریک (در DFB)، و قابلیت مدولاسیون بالا (تا چند ده گیگاهرتز). معایب: بازده پایین تر نسبت به لیزرهای GaAs (به دلیل بازترکیب اوژه) و هزینه بالاتر. با وجود این، لیزرهای InP برای زیرساخت اینترنت جهانی ضروری هستند و پیشرفت در طراحی و ساخت آنها همچنان ادامه دارد.
