لیزر دیودی مبتنی بر GaAs (انگلیسی : Gallium Arsenide Diode Laser)، در فیزیک (Physics)
انواع لیزرها (Laser) را در آموزش زیر شرح دادیم :
لیزر دیودی مبتنی بر GaAs (انگلیسی : Gallium Arsenide Diode Laser) :
Gallium Arsenide (GaAs) Diode Laser به لیزرهای نیمه هادی اطلاق می شود که بر پایه زیرلایه آرسنید گالیم (GaAs) و آلیاژهای آن (مانند AlGaAs، InGaAs، GaAsP) ساخته می شوند. این خانواده از لیزرها یکی از مهم ترین و پرکاربردترین ها هستند و محدوده طول موج ۶۳۰ تا ۱۲۰۰ نانومتر را پوشش می دهند. GaAs به دلیل تطابق شبکه خوب با آلیاژهای AlGaAs و InGaAs (در غلظت های پایین ایندیم) و خواص نوری و الکترونیکی عالی، زیرلایه ایده آلی است.
انواع مهم لیزرهای مبتنی بر GaAs: - AlGaAs/GaAs: محدوده ۷۵۰-۸۸۰ نانومتر. برای پخش کننده های CD، چاپگرها، و پمپاژ لیزرهای حالت جامد (با ۸۰۸ نانومتر). - InGaAs/GaAs: محدوده ۹۰۰-۱۲۰۰ نانومتر (معمولا ۹۸۰-۱۰۶۰). برای پمپاژ لیزرهای فیبری (Yb و Er) و کاربردهای مخابراتی کوتاه برد. - AlGaInP/GaAs: محدوده ۶۳۰-۶۹۰ نانومتر (قرمز). برای دی وی دی و نشانگرها.
مزایای لیزرهای مبتنی بر GaAs: بازده بسیار بالا (تا ۷۰٪)، توان خروجی بالا (از میلی وات تا کیلووات در آرایه ها)، قابلیت اطمینان عالی (ده ها هزار ساعت)، و تنوع طول موج. تکنولوژی رشد (MOCVD و MBE) برای این مواد به بلوغ کامل رسیده است و تولید انبوه با هزینه کم امکان پذیر است.
کاربردهای لیزرهای GaAs: پمپاژ لیزرهای فیبری (اصلی ترین کاربرد برای لیزرهای صنعتی)، پمپاژ لیزرهای حالت جامد (مانند Nd:YAG)، ذخیره سازی نوری (CD، DVD)، چاپگرها، حسگرها، مخابرات نوری کوتاه برد، پزشکی، و صنعت. لیزرهای مبتنی بر GaAs یکی از ارکان اصلی صنعت فوتونیک هستند و بدون آنها، پیشرفت در زمینه هایی مانند اینترنت پرسرعت و تولید صنعتی با لیزر ممکن نبود.
