مقاومت درین (Drain Resistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع مقاومت ها (Resistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) را در آموزش زیر شرح دادیم :
مقاومت درین (Drain Resistor) :
مقاومت درین (Drain Resistor) معادل مقاومت کلکتور برای ترانزیستورهای اثر میدان (FET) است. این مقاومت بین درین (Drain) یک FET (مانند MOSFET یا JFET) و منبع تغذیه (Vdd) قرار می گیرد و نقش مشابهی ایفا می کند: تبدیل جریان درین به ولتاژ و تعیین بهره.
برای یک تقویت کننده با FET، بهره ولتاژ تقریبا
\[ A_v \approx -g_m \times R_D \]است که
\[ g_m \]ترانس کانداکتانس FET و
\[ R_D \]مقاومت درین است. افزایش
\[ R_D \]بهره را افزایش می دهد اما پهنای باند را کاهش می دهد و ممکن است نقطه کار را تغییر دهد.
مقاومت درین همچنین جریان درین را در حالت اشباع محدود می کند. مانند مقاومت کلکتور، توان مصرفی آن
\[ P = R_D \times I_D^2 \]است.
در مدارهای سوئیچینگ با MOSFET، مقاومت درین ممکن است به عنوان بار (مثلا برای راه اندازی یک موتور یا لامپ) استفاده شود. انتخاب مقدار مناسب بر اساس ولتاژ تغذیه و جریان بار انجام می شود.
