مقاومت کاربید سیلیسیم (Silicon Carbide Varistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)

انواع مقاومت ها (Resistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) را در آموزش زیر شرح دادیم :

مقاومت کاربید سیلیسیم (Silicon Carbide Varistor) :

این نوع واریستور از کاربید سیلیسیم (SiC) ساخته می شود و نسل قدیمی تر واریستورها است. قبل از رواج واریستورهای اکسید روی، از SiC برای حفاظت در برابر ولتاژ اضافی استفاده می شد.

ساختار: دانه های کاربید سیلیسیم با یک بایندر (مانند سرامیک) فشرده و پخته می شوند. مرز بین دانه ها ایجاد سد پتانسیل کرده و رفتار غیرخطی نشان می دهد.

ویژگی ها: ضریب غیرخطی (α) پایین تر (بین ۳ تا ۱۰) نسبت به ZnO، مقاومت داخلی بالاتر، ظرفیت جریان کمتر. برای ولتاژهای بالاتر (برقگیرهای فشار قوی) در گذشته استفاده می شد.

کاربرد: برقگیرهای خطوط انتقال نیرو (در گذشته)، حفاظت از تماس های کلیدی در مدارهای قدرت. امروزه تا حد زیادی با MOV جایگزین شده است.

مقاومت SiC در ولتاژ نامی شبکه می تواند چند کیلواهم باشد.

نکته: SiC به عنوان ماده نیمه هادی با شکاف باند بالا، امروزه در ساخت قطعات قدرت (مانند دیودهای شاتکی و MOSFET) کاربرد فراوان دارد.