مقاومت مغناطیسی (Magneto Resistor / MDR)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit)
انواع مقاومت ها (Resistor)، در مدارهای الکتریکی (Electrical Circuit) را در آموزش زیر شرح دادیم :
مقاومت مغناطیسی (Magneto Resistor / MDR) :
مقاومت مغناطیسی (Magneto Resistor) قطعه ای است که مقاومت آن با اعمال میدان مغناطیسی تغییر می کند. این اثر را "مقاومت مغناطیسی" (Magnetoresistance) می نامند. دو نوع اصلی وجود دارد: اثر گاوس معمولی (در نیمه هادی ها) و اثر مقاومت مغناطیسی غول آسا (GMR) که در هدهای خواندن هارددیسک ها استفاده می شود.
در نوع نیمه هادی (مانند آرسنید ایندیوم - InSb)، در حضور میدان مغناطیسی، مسیر الکترون ها خمیده شده و طول موثر افزایش می یابد که منجر به افزایش مقاومت می شود.
رابطه تقریبی:
\[ R(B) = R_0 (1 + m B^2) \]که
\[ B \]میدان مغناطیسی،
\[ m \]ضریب حساسیت (برای میدان های ضعیف) است. برای GMR، تغییر مقاومت می تواند تا ۵۰٪ یا بیشتر باشد.
کاربردها: سنسورهای میدان مغناطیسی (در مکان یابی خودروها)، حسگرهای موقعیت بدون تماس، اندازه گیری جریان (از طریق میدان مغناطیسی ایجاد شده)، هد خواندن در هارددیسک ها (GMR)، و در قطارهای مغناطیسی (ماگلو).
ویژگی ها: دقت بالا، عدم نیاز به تماس فیزیکی، حساسیت به میدان های ضعیف. معایب: غیرخطی بودن، وابستگی به دما، قیمت بالاتر از هال افکت.
مقاومت های مغناطیسی معمولی (نیمه هادی) در محدوده ۱۰ اهم تا چند کیلواهم ساخته می شوند.
